TF1010 Одностінний порошок вуглецевих нанотрубок

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, а дефекти аморфного вуглецю на стінці трубки надзвичайно низькі. Основний диференційований показник: ефективна чистота одностінних вуглецевих труб більше або дорівнює 98,5%, значно вище, ніж 80% чистоти TF1000. Металева зола контролюється градієнтом до ста часток на мільйон, залишкові домішки каталізатора значно зменшуються, що принципово дозволяє уникнути витоку напівпровідникових пристроїв, побічних реакцій батареї та проблем дрейфу сигналу.

Безшовна трубчаста структура одношарового графену поєднує балістичну електронну провідність, надвисоку еластичність і надвелику питому поверхню (500–1000 м²/г). Обсяг додавання перколяції може становити лише 0,03 %, щоб утворити повнодоменну провідну мережу, придатну для тонкоплівкових транзисторів із технологічним процесом 7 нм і нижче, гнучких логічних схем, кремнієво-вуглецевих анодів високої чистоти, легкого екранування для військових і аерокосмічних систем, біосенсору надвисокої чутливості слідів та інших високоточних суворих сценаріїв.

Фабрика оснащена повним набором спеціального обладнання для тестування матеріалів високої чистоти, включаючи TEM з високою роздільною здатністю, раманівську спектроскопію, термогравіметрію TGA та ICP-OES. Кожна партія видається з повним набором спеціальних звітів про випробування на одностінний вміст, металеві домішки, діаметр і довжину труби. Дослідницьким інститутам, напівпровідниковим підприємствам і провідним виробникам твердотільних акумуляторів надаються лише зразки високої чистоти з концентрацією в грамах і пілотні партії з кілограмами. Модифіковані порошки високої чистоти з аміно- та карбоксильними групами можна адаптувати до дисперсії вода/органічний розчинник. Повний набір RoHS, REACH, спеціальні звіти про домішки високої чистоти ICP та паспорти безпеки MSDS повні, що відповідає суворим стандартам аудиту допуску матеріалів для імпорту та експорту військової та напівпровідникової продукції.

Упаковка: вакуумні пакети з алюмінієвої фольги, поліетиленові композитні пакети, тонні пакети, настроювані

У 2022 році компанія інвестувала 50 мільйонів юанів у створення «Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd.» в Хецзе, провінція Шаньдун, з площею забудови 4000 кв. Зараз це національне високотехнологічне підприємство з понад десятьма незалежними патентами.

У 2027 році заплановано будівництво другої черги виробництва та науково-дослідного центру. Компанія пройшла міжнародну сертифікацію системи якості ISO9001 і сформувала передовий центр виробництва наноматеріалів і технічного обслуговування, який охоплює весь процес експлуатації, науково-дослідні розробки, пілотне виробництво та виробництво. В даний час вона володіє повними виробничими лініями для порошку вуглецевих нанотрубок, суспензії вуглецевих нанотрубок, маткової суміші вуглецевих нанотрубок, волокна з вуглецевих нанотрубок і плівки з вуглецевих нанотрубок.

У нас є професійне тестування та сертифікація. Для справді нанорозмірних вуглецевих нанотрубок технологія Tanfeng надає дані характеристик для різних моделей, таких як SEM-зображення, AFM-зображення, HRTEM-зображення, Раманівська спектроскопія та порошкові рентгенограми.

Чистота однієї стінки Більше або дорівнює 98,5%, надзвичайно низький вміст домішок і різноманітних трубок, адаптація до вимог щодо співвідношення ввімкнення/вимкнення напівпровідникового пристрою

Порівняно з одностінною чистотою TF1000, що становить лише 80%, TF1010 видаляє багатошарові вуглецеві трубки та частинки аморфного вуглецю за допомогою багатоступеневої очистки, при цьому домішки різних фаз становлять менше 1,5%. При використанні в тонкоплівкових польових транзисторах коефіцієнт увімкнення/вимкнення пристрою збільшується більш ніж у 10 разів без витоку або спотворення сигналу, спричиненого різноманітними металевими трубками, що адаптується до досліджень і розробок передових інтегральних схем на основі вуглецю 7 нм і нижче.

Доступні три класи наднизької золи металу, що повністю вирішує проблему несправності міграції іонів металу

Забезпечує три характеристики золи:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 мкм наддовгі чисті трубки, надзвичайно низьке заповнення без блокування пропускання світла

Надвисоке співвідношення сторін на десять тисяч рівнів, додавання провідності всього лише 0,03%, дозування наповнювача зменшено ще на 30% порівняно з TF1000 для того самого провідного ефекту. Діаметр труби набагато менший за довжину хвилі видимого світла, що створює прозорі провідні плівки без розпливчастості та високого пропускання, що адаптується до масового виробництва складних екранів і фотоелектричних прозорих електродів.

Ultra-high crystallinity G/D >50, надзвичайно мало структурних дефектів стінки трубки, максимальна стабільність електрохімічного циклу

Стінки графенової трубки з низьким рівнем дефектів зменшують побічні реакції на інтерфейсі електроліту. При використанні в кремнієво-вуглецевих анодах і твердотільних батареях вони можуть значною мірою пригнічувати безперервне потовщення плівки SEI, при цьому термін служби елементного циклу покращується більш ніж на 35% порівняно з базовими одностінними TF1000, адаптуючись до високоякісних акумуляторів для легкових автомобілів великого радіусу дії.

Може спрямовано відокремлювати напівпровідникові одностінні вуглецеві трубки, підкладку сердечника для малопотужних гнучких мікросхем

Первісна одношарова сировина високої чистоти полегшує подальше центрифугування в градієнті щільності, виробляючи значну частку напівпровідникових одношарових вуглецевих нанотрубок з високою рухливістю носіїв і надзвичайно низьким енергоспоживанням пристрою, що робить їх основною сировиною для гнучких малопотужних логічних схем наступного покоління та мікросхем датчиків.

Надвелика питома поверхня 500–1000 м²/г, надвисока чутливість захоплення слідів молекул

Масивні електрохімічні активні центри з адсорбцією та здатністю розпізнавати гази, біологічні білки та сліди молекул важких металів, що значно перевищують TF1000, адаптуються до медичних діагностичних біосенсорів і зондів для точного виявлення слідів забруднювачів навколишнього середовища.

Військова та аерокосмічна повністю сумісна система високої чистоти, легке провідне та теплопровідне інтегроване структурне посилення

Композиції з низьким вмістом домішок, які не утворюють осаду, відповідають стандартам прийнятності аерокосмічних і військових електронних компонентів. Надзвичайно низьке заповнення може досягти потрійного ефекту постійної провідності, електромагнітного екранування та структурного посилення, значно зменшуючи власну вагу компонентів супутника та літака.

1. Сучасні вуглецеві напівпровідники, тонкоплівкові польові транзистори

7 нм і нижче технологічні інтегральні схеми, гнучкі логічні мікросхеми, мікросхеми малопотужних датчиків; надвисока чистота одностінних стінок забезпечує високий коефіцієнт увімкнення/вимкнення транзистора та низький витік, замінюючи традиційні матеріали на основі кремнію для досліджень і розробок мікронаноелектроніки епохи Мура.

2. Військові/аерокосмічні композитні матеріали ультрависокої чистоти з електропровідним екрануванням

Легкі корпуси для електромагнітного екранування супутників, інтегровані панелі для розсіювання тепла літаків і електропровідні панелі, електроди для накопичувачів енергії військового призначення; низький вміст металевих домішок відповідає довгостроковим стандартам стабільної роботи військових компонентів на орбіті.

3. Високоякісні кремнієво-вуглецеві аноди, сульфідні повністю твердотільні батареї

Електропровідні добавки, призначені для кремнієво-вуглецевих анодів для споживчої електроніки високого класу та акумуляторних батарей легкових транспортних засобів великого радіусу дії; наднизький вміст домішок пригнічує саморозряд клітинки, наддовгі вуглецеві трубки буферизують розширення об’єму частинок кремнію, що значно подовжує термін служби.

4. Гнучкі прозорі провідні плівки з високим коефіцієнтом пропускання, складні OLED-дисплеї

Заміна дефіцитного оксиду індію-олова ITO, виготовлення нетуманних плівок з високим коефіцієнтом пропускання, адаптація до складних сенсорних екранів, переносних медичних електродів ЕКГ та прозорих струмоприймачів фотоелектричних елементів із затуханням опору нижче 3% після тисячі згинів.

5. Надвисокоточні датчики біологічних і екологічних слідів

Медичні датчики виявлення білка, виявлення слідів токсичних газів в атмосфері, датчики моніторингу важких металів у воді; надвелика питома поверхня дозволяє розпізнавати слідові молекули на рівні часток на милліард із чутливістю виявлення, що перевершує базову одношарову модель TF1000.

6. Університетські дослідницькі проекти ультрависокої чистоти наноматеріалів

Зразки високої чистоти, призначені для високоточних лабораторних досліджень і розробок, таких як одностінкове хіральне розділення напівпровідників, вдосконалені механізми мікросхем на основі вуглецю, механізми тривалого циклу твердотільних батарей і легкі композитні матеріали для аерокосмічної галузі.

Питання 1: Які основні відмінності вибору між одностінними TF1010 надвисокої чистоти та базовими одностінними TF1000, і як вибрати напівпровідникові мікросхеми?

A: Чистота одностінної TF1000 становить лише більше або дорівнює 80%, підходить для кремнієво-вуглецевих анодів, звичайних гнучких провідних плівок і звичайних базових лабораторних досліджень і розробок; Чистота одностінної TF1010 більше або дорівнює 98,5%, з металевим попелом лише в межах 100 ppm, і надзвичайно мало різноманітних трубок і домішок аморфного вуглецю, спеціально для напівпровідникових інтегральних схем, військових і аерокосмічних, надвисокоточних біодатчиків, високоякісних твердотільних батарей та інших сценаріїв з нульовою толерантністю до домішок; для високої стабільності пристрою, низьких витоків і тривалих циклів необхідно вибрати TF1010.

Q2: До яких сценаріїв відповідно адаптуються три специфікації золи TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Q3: TF1010 з одностінною чистотою 98,5%, наскільки це покращує коефіцієнт увімкнення/вимкнення транзистора?

A: Оскільки TF1000 містить велику кількість багатошарових різних трубок, коефіцієнт увімкнення/вимкнення транзистора становить лише 10³–10⁴; TF1010 має надзвичайно мало різноманітних фазових домішок, і після відділення коефіцієнт увімкнення/вимкнення пристрою напівпровідникової вуглецевої трубки може сягати понад 10⁷, що відповідає вимогам продуктивності передових мікросхем.

Питання 4: Наскільки можна зменшити саморозряд TF1010 у твердотільних батареях порівняно з TF1000?

Відповідь: Каталітичні домішки металу TF1010 значно зменшені, 30-денне ослаблення ємності твердотільного елемента при кімнатній температурі при зберіганні зменшено на 40%, а життєвий цикл покращено на 35%, що адаптується до пілотного масового виробництва твердотільних акумуляторів великої дальності для автовиробників.

Q5: Чи важко диспергувати порошок TF1010 і чи можна його адаптувати до суспензій, що підтримують напівпровідникову літографію?

A: Модифікований порошок TF1010 високої чистоти аміно може бути налаштований, пристосовуючись до спеціальної для літографії дисперсії органічних розчинників з низьким вмістом домішок, без слідів металевих осадів, що забруднюють пластини; наша компанія може надати дисперсійні рішення високої чистоти з низьким зсувом.

Q6: Для експортних військових і напівпровідникових проектів, чи може TF1010 видати спеціальні звіти про випробування домішок металів високої чистоти?

A: Кожна партія забезпечена незалежним аркушем для тестування золи високої чистоти ICP-OES, де точно вказано залишковий вміст різних металів каталізатора. Повний набір документів RoHS, REACH і MSDS завершено, що відповідає стороннім аудитам для військових і напівпровідникових матеріалів для імпорту та експорту.

Q7: Який коефіцієнт пропускання може досягти TF1010 при виготовленні прозорих провідних плівок? Чи є проблеми з димом?

A: Коефіцієнт пропускання плівки більше або дорівнює 90%, матовість<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Популярні Мітки: tf1010 одностінний порошок вуглецевих нанотрубок, Китай tf1010 одностінний порошок вуглецевих нанотрубок виробники, постачальники, фабрика